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美光科技推出第三代低延時(shí)內(nèi)存RLDRAM3

2010年07月14日 16:11   來(lái)源:中國(guó)數(shù)字視聽(tīng)網(wǎng)   作者:karl   字體【

       7月14日,美光科技宣布推出了第三代低延時(shí)DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存),一種高帶寬內(nèi)存技術(shù),能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動(dòng)應(yīng)用和云計(jì)算的蓬勃發(fā)展,對(duì)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求,以便在線(xiàn)傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比,美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲(chǔ)密度和速度,同時(shí)最大限度地減少了延遲,降低了功耗,在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。

       美光的DRAM營(yíng)銷(xiāo)副總裁Robert Feurle說(shuō):“隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費(fèi)的不斷增長(zhǎng),人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡(luò)流量增長(zhǎng)的技術(shù),美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿(mǎn)足了這種需求”。對(duì)于現(xiàn)有的RLDRAM 2,美光將繼續(xù)提供最高水平的技術(shù)支持,并計(jì)劃長(zhǎng)期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外,美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進(jìn)的50nm工藝,提高系統(tǒng)性能,降低功耗。

RLDRAM 3內(nèi)存產(chǎn)品特點(diǎn)

美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有:

     1、低延時(shí):tRC不足10納秒,是業(yè)界最低的隨機(jī)存取延時(shí);

     2、高密度:576Mb-1Gb,靈活性高,可用于多種設(shè)計(jì);

     3、高速率:達(dá)2133Mb/s,數(shù)據(jù)存取速度更快;

     4、高能效:1.2V IO和1.35V內(nèi)核電壓,更省電;

構(gòu)建RLDRAM 合作伙伴網(wǎng)絡(luò)

       美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡(luò),使其RLDRAM存儲(chǔ)解決方案能更方便地與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備集成。美光與其合作伙伴展開(kāi)了廣泛合作,為客戶(hù)提供量身定制的解決方案,優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)性能。作為這個(gè)價(jià)值生態(tài)系統(tǒng)的一部分,美光目前合作的領(lǐng)先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx,RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。

       Altera組件產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說(shuō):“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數(shù)據(jù)通路,針對(duì)美光內(nèi)存設(shè)有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內(nèi)存的發(fā)布讓我們的內(nèi)存帶寬可高達(dá)1600 Mbps,為行業(yè)內(nèi)最高速度,大幅降低了延時(shí)。美光新的存儲(chǔ)產(chǎn)品搭配Altera新的內(nèi)存接口架構(gòu)是一項(xiàng)重要技術(shù)成果,是我們與美光多年技術(shù)合作的一項(xiàng)巔峰之作。”

       Xilinx應(yīng)用和技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)資深總監(jiān)Rina Raman說(shuō):“Xilinx 7系列FPGA應(yīng)用于最高級(jí)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,用于滿(mǎn)足全世界對(duì)帶寬無(wú)止盡的需求。我們與美光合作,支持其新的RLDRAM 3技術(shù),讓我們的客戶(hù)能夠開(kāi)發(fā)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái),來(lái)滿(mǎn)足最嚴(yán)格的基礎(chǔ)設(shè)施需求。”

產(chǎn)品可用性

       美光預(yù)計(jì)將在2011年上半年開(kāi)始對(duì)其RLDRAM 3進(jìn)行抽樣,目前正與客戶(hù)合作,征求其對(duì)RLDRAM 3內(nèi)存設(shè)計(jì)的意見(jiàn)。此外,美光預(yù)計(jì)將在2010年第四季度開(kāi)始對(duì)其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進(jìn)行抽樣。

關(guān)于美光科技

      美光科技是世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案提供商之一。美光依托全球性運(yùn)營(yíng),制造和銷(xiāo)售一系列DRAM、NAND和NOR閃存、以及其他創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)、包裝解決方案和和半導(dǎo)體系統(tǒng),用于前沿計(jì)算、消費(fèi)、聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品。

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(編輯:Karl)

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